Система обозначений полупроводниковых приборов JIS (Япония)

JIS-C-7012 — стандарт, принятый EIAJ — Electronic Industries Association of Japan (Ассоциация электронной промышленности Японии)

Система обозначений полупроводниковых приборов JIS состоит из пяти элементов:

1-й элемент (цифра) - обозначает класс полупроводниковых приборов:

    0 - Фотодиоды, фототранзисторы;
    1 - Диоды;
    2 - Транзисторы;
    3 - Четырёхслойные приборы.

2-й элемент (буква "S") - обозначает, что данный прибор полупроводниковый (от Semiconductor)

3-й элемент (буква) - обозначает подкласс полупроводниковых приборов:

    A - транзисторы p-n-p высокочастотные;
    B - транзисторы p-n-p низкочастотные;
    C - транзисторы n-p-n высокочастотные;
    D - транзисторы n-p-n низкочастотные;
    E - диоды Есаки;
    F - тиристоры;
    G - диоды Ганна;
    H - однопереходные транзисторы;
    J - полевые транзисторы с каналом p-типа;
    K - полевые транзисторы с каналом n-типа;
    M - симметричные тиристоры (триаки);
    Q - светоизлучающие диоды;
    R - выпрямительные диоды;
    S - малосигнальные диоды;
    T - лавинные диоды;
    V - диоды с переменной ёмкостью (варикапы), pin-диоды, диоды с накоплением заряда;
    Z - стабилитроны.

Примечание:
у фотодиодов и фототранзисторов данного (третьего) элемента в обозначении нет

4-й элемент - регистрационный номер, счёт начинается с 11

5-й элемент - усовершенствование прибора ("A" - первая модификация, "B" - вторая и т.д.)

Дополнительные индексы ("N", "M", "S") - требования специальных стандартов (промышленное, военное или космическое применение соответственно)

Примечание:
на малогабаритных корпусах очень часто два первых символа "2S" опускаются. Например, транзистор 2SC645 может маркироваться как C645.