BS170 (bs170) - N-канальный полевой транзистор от Fairchild Semiconductor
24 Июль 2011

bs170
N – канальный полевой транзистор BS170 (bs170) разработан с использованием DMOS технологии. Транзистор обладает низким сопротивлением во включенном состоянии, что обеспечивает высокую переключающую способность. Транзистор может использоваться в большинстве приложений, потребляющих постоянный ток до 500 мА. Применяется (bs170) при малых токах и низких напряжениях: в сервоприводах, в драйверах мощных транзисторов MOSFET и в других устройствах коммутации. Особенности: Низкое сопротивление RDS(ON). Низкое пороговое напряжение затвора Большой импульсный ток

Общие сведения
Номенклатурный номер BS170
Производитель Fairchild Semiconductor
Краткое описание Полевой N-канальный транзистор, 60 В, 500 мА в корпусе ТО-92
Соответствие директиве RoHS Да
Количество в упаковке 2000
Семейство Полевые транзисторы
Серия -
Тип транзистора MOSFET N – канальный, металл - оксид
Сопротивление во включенном состоянии RDS 5 Ом
Напряжение сток-исток    VDSS 60 В
Напряжение затвор- исток ± 20 В
Ток стока ID постоянный импульсный 500 мА 1200 мА
Пороговое напряжение затвор-исток (Мах) 3 В
Входная емкость 40 pF
Максимальная мощность рассеивания 830 мВт
Тип корпуса ТО-226-3, ТО-92-3
Тип монтажа Сквозное отверстие
Техническая документация Спецификации